真空气氛炉在氮化硅陶瓷烧结中的工艺要点

氮化硅陶瓷是结构陶瓷里性能很突出的一类，高温强度高、耐磨、耐腐蚀，用来做轴承、密封环、刀具，烧结过程中如果气氛控制不好，材料会分解，性能直接掉下来，必须用真空气氛炉充氮气烧结。

氮化硅在高温下很容易分解，普通气氛炉密封不好，氮气泄漏之后材料分解，致密度上不去。真空气氛炉可以先抽真空再充高纯氮气，整个烧结过程保持微正压，抑制分解，保温阶段氮气压力保持在0.1MPa左右，材料才能烧结致密。

东莞志远的真空气氛炉最高温度1700℃，温区均匀性±5℃，炉体能承受微正压，配有压力自动控制系统，适合氮化硅、氮化铝这类氮化物陶瓷的烧结，也能兼容真空热压炉做热压烧结工艺。

常见问题

问：氮化硅烧结需要多高温度？

答：常规常压烧结温度在1700-1750℃，热压烧结可以低个100℃左右，需要温度控制精准，超温了材料分解更快。

问：烧结氮化硅用什么坩埚？

答：一般用氮化硅结合碳化硅坩埚，不能用普通氧化铝坩埚，不然高温下会和材料发生反应污染工件。

问：小试阶段做配方研发选多大炉子？

答：初期做配方选100×100mm加热区的小型气氛炉就行，一次装几十克样品，成本低，调试工艺也快。