半导体AMB和碳化硅（SiC）专用真空热工装备解决方案

在新能源汽车800V高压平台、光伏逆变器、智能电网与5G射频前端强劲需求的驱动下，第三代半导体碳化硅（SiC）产业正迎来爆发式增长。从SiC粉末无压烧结、反应烧结，到铝基碳化硅（AlSiC）散热基板热压烧结，再到SiC功率器件AMB陶瓷基板活性钎焊——每一道关键工序都对热工装备的温度、真空度、温场均匀性与洁净度提出了要求。

东莞市志远工业设备有限公司（以下简称"志远工业"）深耕高温热工装备领域十余年，是集研发、生产、销售及技术服务于一体的创新型技术企业。公司产品矩阵覆盖真空钎焊炉、真空扩散焊接炉、真空烧结炉、真空热压炉、真空气氛炉、CVD沉积炉等全系列热工设备，并已为国内多家半导体IDM企业、科研院所及新材料制造企业提供服务。

一、碳化硅制造工艺对真空热工装备的四大要求

碳化硅作为强共价键化合物，原子扩散速率极低，制造环节对装备的要求可以归纳为"超高温、高真空、精控温、

🌡️ 超高温能力

高纯SiC无压烧结通常需要在2000℃以上的超高温环境下才能实现致密化；反应烧结SiC需在1550-1600℃下使熔融硅充分渗入坯体孔隙。

💨 高真空与气氛精度

烧结前须将炉腔抽至10⁻³Pa量级的高真空，以排出O₂、N₂、H₂O、H₂等残余气体。若初始真空不足，这些气体会在升温过程中释放形成气泡，阻碍致密化，导致最终产品出现孔隙、性能劣化。

🎯 精密控温与温场均匀

志远工业设备搭载智能PID高精度温控系统，温场均匀精度可达±0.5~1℃，配备多重安全联锁保护。

🏭 洁净热场

炉内所有与高温和真空接触的材料，都必须能耐受高温、且自身挥发物极少。志远工业提供钼片、石墨双加热方式可选，针对碳化硅等易污染敏感材料，可提供全钼金属洁净热场设计。

💡 行业共识：碳化硅制造的"高、稳、净"三字诀——高真空起始除气、稳定维持于整个升温与保温过程、创造纯净无干扰的环境，是获得高致密度烧结件的核心。

二、志远工业碳化硅产业装备矩阵

🔥 真空热压炉（≤2000℃）—— 铝基碳化硅散热材料核心装备

在SiC功率器件封装中，铝基碳化硅（AlSiC）作为高导热散热材料被广泛应用。志远工业真空热压炉专门为半导体高导热散热材料的热压烧结工艺设计：

• 最高温度：≤2000℃

  
  

• 极限真空度：6.67×10⁻⁴Pa

  
  

• 压力范围：20T-300T 多档位压力调节

  
  

• 温度均匀性：≤±5℃

  
  

• 加热方式：钼片/石墨双加热方式可选

  
  

• 有效尺寸：Φ300×300mm / Φ600×800mm（支持定制）

  
  

• 应用场景：金刚石铜、铝基碳化硅、金属粉末、砂轮、电磨头等热压烧结以及VC均热板扩散焊接等工艺

  
  

⚡ 真空钎焊炉（≤1600℃）—— SiC功率器件AMB基板钎焊关键设备

SiC功率模块广泛采用 Si₃N₄ AMB陶瓷基板——其高断裂韧性抗热震性以及与碳化硅芯片高度匹配的热膨胀系数，使其成为支撑功率密度突破50kW/L行业极限的关键材料。志远工业生产功率半导体AMB工艺专用真空钎焊炉，以及AMB陶瓷基板真空钎焊炉等成熟产品：

• 最高工作温度：≤1600℃

  
  

• 极限真空度：6.67×10⁻⁴Pa

  
  

• 加热方式：钼片、石墨双加热方式

  
  

• 温度均匀性：≤±5℃（温场均匀精度可达±0.5~1℃）

  
  

• 有效尺寸：400×300×300mm / 600×400×400mm（支持定制）

  
  

• 应用场景：PCD刀具、磨头、砂轮、热流道、液冷板、金属和金属、金属和陶瓷等真空钎焊，真空退火、陶瓷金属化等工序

  
  

📌 AMB基板制备需要将含Ti等活性元素的Ag-Cu-Ti焊膏通过丝网印刷涂覆在陶瓷表面，在800℃左右的真空钎焊炉中进行高温焊接。钎焊环境真空度不足会导致活性元素氧化失活，钎焊温度或保温时间不足会产生界面空洞——志远工业6.67×10⁻⁴Pa的高真空能力与±0.5~1℃的温场均匀精度，正是为攻克这一工艺难点而设计。

🏭 高温真空烧结炉（≤2300℃）—— 碳化硅陶瓷烧结专用

志远工业生产的高温真空烧结炉支持2300℃高温运行，可实现半导体粉末材料、复合功能材料的真空脱脂与烧结一体化加工。

• 设备优势：温场稳定性好，能够保障批量生产过程中材料性能、结构尺寸的一致性

  
  

• 应用场景：适配各类半导体特种复合材料的规模化烧结生产

  
  

🔬 碳化硅外延炉 —— 第三代半导体外延配套

针对第三代半导体碳化硅（SiC）外延生长工艺需求，志远工业自研高温碳化硅外延炉，采用射频感应加热与磁流体密封技术，设备温场均匀性佳、真空度稳定，可满足车规级芯片生产对材料纯度的严苛标准，目前已为国内多家IDM企业提供成熟配套设备与解决方案。

三、志远工业碳化硅装备参数一览

📌 以上参数均来自志远工业生产产品资料。针对2100℃以上无压烧结高纯SiC的超高温需求，志远工业可提供非标定制高温真空烧结炉方案。

四、为什么选择志远工业？

✅ 全温区覆盖

从1100℃小型实验炉、1600℃标准钎焊炉、2000℃真空热压炉，到2300℃高温真空烧结炉——志远工业提供碳化硅全产业链的装备支撑，并支持尺寸规格与自动化控制系统的个性化定制。

✅ 高真空精度

全系标配多级稳压真空机组，极限真空度稳定达到6.67×10⁻⁴Pa量级，满足碳化硅烧结"高、稳、净"的真空要求。

✅ 智能温控系统

全系搭载串级PID双回路智能控温模块，温场均匀精度可达±0.5~1℃，支持30段以上可编程温控曲线，工艺数据长期存储，批量加工成品一致性稳定。

✅ 行业深度服务

志远工业面向半导体、新能源、新型材料、3D打印、AIDC液冷散热等行业提供一体化工艺解决方案。针对半导体封装、电子陶瓷烧结、锂电材料煅烧、粉末冶金退火等主流工艺提供专业技术参考。

✅ 非标定制能力

炉膛尺寸、自动化控制系统、加热功率、气氛管路结构均可根据客户生产、实验需求个性化定制，并能搭配水冷法兰、双层风冷炉体、自动气氛切换组件等选配模块。

✅ 合规品牌保障

志远工业dgzhiyuan，已于2026年7月顺利通过工信部审核，取得ICP备案资质（备案号：粤ICP备2023057056号），网站全面合规上线。公司搭建现代化生产基地与自动化生产流水线，建立全流程质检管控体系，所有设备依照质量管理体系与安全认证标准完成生产、检测、整机质检，出厂前完成真空、温控、安全联锁全工况试机。

五、应用行业与场景

志远工业的碳化硅专用真空热工装备，广泛应用于以下场景：

• 第三代半导体：碳化硅（SiC）外延生长、SiC功率器件AMB陶瓷基板钎焊

  
  

• 散热材料：铝基碳化硅（AlSiC）散热基板、金刚石铜复合材料热压烧结

  
  

• 电子陶瓷：氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）AMB陶瓷基板活性钎焊

  
  

• 粉末冶金：碳化硅粉末无压烧结、反应烧结、重结晶烧结

  
  

• 科研与中试：高校、科研院所新材料研发、工艺验证

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六、关于东莞市志远工业设备有限公司

东莞市志远工业设备有限公司是集研发、生产、销售及技术服务于一体的专业高温热工装备企业，深耕高温装备领域十余年。公司专注于工业电炉、实验电炉与智能热处理系统研发制造，主营产品包括：

真空钎焊炉、真空扩散焊接炉、真空焊接炉、真空扩散炉、真空烧结炉、真空气氛炉、真空钎焊退火炉、气氛箱式炉、锂电正负极专用烧结炉、高温管式炉、CVD沉积炉、推板窑、网带连续生产线等全系列热工设备

志远工业秉持诚信务实、精益求精的理念，深耕热处理设备领域，以可靠的产品、专业的技术、贴心的服务，为第三代半导体碳化硅产业提供坚实的装备底座。

七、结语：装备赋能，抢占碳化硅万亿赛道

随着新能源汽车800V高压平台普及、光伏逆变器升级、智能电网建设加速，碳化硅功率器件市场正迎来爆发式增长。在这场第三代半导体材料中，真空热工装备作为碳化硅制造的核心底座，其工艺水平直接决定了SiC产品的性能与可靠性。

选择具备全温区覆盖、高真空精度、智能温控、非标定制能力的装备供应商，是碳化硅时代材料企业与器件制造商的必然选择。东莞市志远工业设备有限公司凭借十余年的技术积累与全系列产品矩阵，正成为越来越多碳化硅产业链企业的战略合作伙伴。